Was ist ein 3DS-RDIMM bzw. 3DS-LRIMM Server Arbeitsspeicher?

Was ist ein 3DS-RDIMM bzw. 3DS-LRIMM Server Arbeitsspeicher?64GB RDIMM 3DS 2S2Rx4

Die 3DS Technologie ist ein 3 Dimensioniales Stacking der Speicher DRAM auf der Speicherplatine um Speichermodule mit hoher Kapazität herzustellen.

Diese dreidimensionale Fertigungstechnologie wurde von der Jedec als Norm für Speichermodule mit dem Begriff „3DS“ definiert.

Es werden jeweils 2, 4 oder 8 DRAM DIE (DIE=einzelner Siliziumsubstrat Würfel) in einem DRAM Gehäuse aufeinandergesetzt und mit vertikalen Kanälen von DIE zu DIE verbunden.

Die Verbindung erfolgt bei dieser modernen Form des „stacking“ intern über vertikale TVS Leitungen (TVS=Through-Silicon Vias).

Die DRAM-DIE Stapel, bestehen aus einem Master-DIE und einem oder mehreren Slave-DIE.

Der Speichercontroller des Systems agiert nur mit dem Master-DIE. Die Slave-DIE werden vom Master-DIE autonom angesteuert.

Durch diesen Aufbau hat ein 3DS Speicher physikalische Ranks und logische Ranks:
Ein 128GB 3DS Speicher mit der Bezeichnung „4H TVS 2S4Rx4“ hat 8 Ranks (2 physikalische Ranks x 4 logische Ranks) auf dem Speichermodul. Dieser Speicher besteht aus 36 DRAM-DIE Stapeln mit jeweils 4 DIE übereinander (=4H TVS)

Von den 4 DIE pro DRAM-DIE Stapeln wird nur das Master-DIE vom Speichercontroller direkt adressiert.
Das 128GB 3DS Speichermodul mit 2S4Rx4 hat 36 DRAM-DIE Stapel und damit 2 physikalische Rank (2Rank=36 Master-DIE mit x4 Strukur=2 Rank à 72bit) aber 8 logische Rank (36 DRAM-DIE Stapel mit je 4 DRAMs mit x4 Struktur = 8 Rank à 72bit).

Durch die besondere Art der Speicher-Ansteuerung kann ein 3DS-RDIMM bzw. 3DS-LRDIMM nicht gemeinsam mit einem klassichen RDIMM und LRDIMM Speicher ohne 3DS Aufbau auf dem gleichen Speicherchannel genutzt werden.

Die 3DS Technik ist in den meisten Fällen nur eine Brückentechnologie, bis es gelingt die Strukturen der DRAMs weiter zu verkleinern. Damit lässt sich dann die nächste Verdoppelung der Speicherkapazität pro DRAM (und damit der Speichermodule) realisieren. Mit der neuen DRAM Generation wird die 3DS Bauweise des älteren DRAM dann schnell abgelöst.

Beispiel: 64GB DDR4 3DS-RDIMM als 2S2Rx4 (2 physikalische Ranks x 2 logische Ranks = 4 logische Ranks). Gezählt werden nur die physikalischen Ranks. Der Speicher ist für das System also ein 2Rx4 Speicher. Intern sind jeweils 2 DRAM à 2Gbit x 4 per TVS Leitungen miteinander verbunden..
64GB RDIMM 3DS 2S2Rx4

 

 

 

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